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NTB18N06G	文件：90.57 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 15 A, 60 V, N?묬hannel TO??20 & D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB18N06L	文件：306.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB18N06L	文件：92.15 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel(N?묬hannelTO??20andDPAK) PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •PowerSupplies •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB18N06L	文件：91.32 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •PowerSupplies •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB18N06LG	文件：91.32 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •PowerSupplies •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06	文件：168.38 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET18Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06	文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06	文件：157.38 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET18Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06G	文件：157.38 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET18Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06L	文件：334.95 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=65mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
NTB18N06G
功能描述：
MOSFET 60V 15A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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