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NDB4060L	文件：68.32 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These logic level N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching pe 文件：68.32 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
NDB4060L	文件：344.8 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：344.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDB4060L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDP4060	文件：66.96 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, a 文件：66.96 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
NDP4060	文件：295.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：295.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDP4060L	文件：68.32 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These logic level N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching pe 文件：68.32 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
NDB4060L
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NDB4060L	onsemi(安森美)	25+	D2PAK(TO-263)	7786	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市一线半导体有限公司	NDB4060L	FAIRCHILD	24+		30000		询价
深圳市弘为电子有限公司	NDB4060L	FAIRCHILD	24+	原装进口原厂原包接受订货	1771	原装现货假一罚十	询价
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