| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)TO-263 |
7793 |
24+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司12年
留言
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FAIRCILDTO263 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263(D2PAK) |
20000 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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FairchildTO-263 |
3500 |
16+/17+ |
原装正品现货供应56 |
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深圳市威尔健半导体有限公司5年
留言
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NS/国半TO-263 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
留言
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MOT/ONTO- |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市赛美科科技有限公司10年
留言
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国半TO-263 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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NSC原厂原装 |
412 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市科达星科技有限公司4年
留言
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仙童TO-263 |
27500 |
24+ |
原装正品,价格最低! |
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上海凌岳电子科技有限公司（上海涵恩科技）12年
留言
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NS |
8780 |
2023+ |
进口原装现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司5年
留言
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NS/国半TO-263 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司3年
留言
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NS/国半TO-263 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司7年
留言
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NS/国半NA/ |
7560 |
24+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司6年
留言
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NS/国半TO-263 |
7560 |
97+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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NS/国半TO-263 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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3000 |
24+ |
公司存货 |
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深圳市一线半导体有限公司17年
留言
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国半TO-263 |
8780 |
24+ |
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深圳市河锋鑫科技有限公司4年
留言
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MOT/ONTO- |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市威尔健半导体有限公司5年
留言
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NS/国半TO-263 |
7560 |
23+ |
NDB6020采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NDB6020图片
NDB6020P价格
NDB6020P价格：￥4.0546品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的NDB6020P多少钱，想知道NDB6020P价格是多少？参考价：￥4.0546。这里提供2025年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NDB6020P批发价格及采购报价，NDB6020P销售排行榜及行情走势，NDB6020P报价。
NDB6020中文资料Alldatasheet PDF
更多NDB6020功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDB6020P功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDB6020P_Q功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
