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MRF21090R3_06	文件：391.9 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical W-CDMA Performance for 2140 MHz, 28 Volts 4.096 MHz BW 文件：391.9 Kbytes 页数：8 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF21090SR3	文件：556.53 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF Sub–Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for W–CDMA base station applications at frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical W–CDMA Performance for 214 文件：556.53 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF21090SR3	文件：391.9 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical W-CDMA Performance for 2140 MHz, 28 Volts 4.096 MHz BW 文件：391.9 Kbytes 页数：8 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF21120R6	文件：359.98 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistor 2110-2170 MHz, 120 W, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN -PCS/cellular radio and WLL applications. • W-CDM 文件：359.98 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF227	文件：19.6 Kbytes Page：1 Pages	SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The MRF227 is designed for large signal power amplifier applications operating to 225 MHz 文件：19.6 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
MRF234	文件：13.64 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF234is Designed for Large-Signal Amplifier Applications to 100 MHz. FEATURES: • Common Emitter • Omnigold™ Metalization System • PG= 9.5 dB min. at 25 W/ 90 MHz 文件：13.64 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
MRF237	文件：55.36 Kbytes Page：1 Pages	SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The MRF237 is designed for large signal power amplifier applications operating to 225 MHz 文件：55.36 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
MRF238	文件：13.25 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The MRF238is Designed for 13.6 V FM Large-Signal Amplifier Applications to 175 MHz. 文件：13.25 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
MRF240A	文件：17.86 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF240A is Designed for Class C Amplifier Applications in VHF Mobile Radios. FEATURES: • PG = 9.0 dB Min. at 40 W /160 MHz • ηC = 55 Min. at 40 W /160 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：17.86 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
MRF247	文件：38.45 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI MRF247 is Designed for 12.5 V VHF large signal amplifier applications up to 175 MHz. FEATURES: • Internal Input Matching Network • PG = 7.0 dB at 75 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System 文件：38.45 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI

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晶体管资料

型号：
MRF207
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
0.4A
最大工作频率：
220MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFR36,BLW11,3DA21A,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
36
htest：
220000000
atest：
0.4
wtest：
1

技术参数

线束品：
无
PIN数：
13
插拔次数：
1000
开口方向：
笔直
适用电线外径(Max.)：
7.0 ｍｍ
(Max.)使用温度范围：
85 ℃
(Min.)使用温度范围：
-25 ℃
RoHS2：
匹配
SVHC：
含有

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	MRF24J40MA-I/RM	MICROCHIP		12MODULE	3200	原装长期供货!	询价
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