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MRF2	文件：102.1 Kbytes Page：2 Pages	Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series 文件：102.1 Kbytes 页数：2 Pages	bel	bel
MRF2	文件：1.37879 Mbytes Page：4 Pages	TYPE MRF FAST ACTING RADIAL LEAD MICRO FUSE SERIES 文件：1.37879 Mbytes 页数：4 Pages	bel	bel
MRF2.5	文件：102.1 Kbytes Page：2 Pages	Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series 文件：102.1 Kbytes 页数：2 Pages	bel	bel
MRF200	文件：102.1 Kbytes Page：2 Pages	Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series 文件：102.1 Kbytes 页数：2 Pages	bel	bel
MRF21010	文件：542.12 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular 文件：542.12 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MRF21010LR1	文件：542.12 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular 文件：542.12 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MRF21010LR1	文件：182.18 Kbytes Page：4 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N- Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular 文件：182.18 Kbytes 页数：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MRF21010LSR1	文件：182.18 Kbytes Page：4 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N- Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular 文件：182.18 Kbytes 页数：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MRF21010LSR1	文件：542.12 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular 文件：542.12 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MRF21030D	文件：377.52 Kbytes Page：8 Pages	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N-CHANNEL ENANCEMENT- MODE LATERAL MOSFETS The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2.0 to 2.2 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cell 文件：377.52 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola

技术参数

线束品：
无
PIN数：
13
插拔次数：
1000
开口方向：
笔直
适用电线外径(Max.)：
7.0 ｍｍ
(Max.)使用温度范围：
85 ℃
(Min.)使用温度范围：
-25 ℃
RoHS2：
匹配
SVHC：
含有

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	MRF24J40MA-I/RM	MICROCHIP		12MODULE	3200	原装长期供货!	询价
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深圳市弘为电子有限公司	MRF275L	MOT	24+	原厂封装	120	原装现货假一罚十	询价
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更多MRF2供应商更新时间2025-12-12 11:53:00

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