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MRF21010LR1	文件：542.12 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellular	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MRF21010LR1	文件：182.18 Kbytes Page：4 Pages	RF Power Field Effect Transistors TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellular	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MRF21010LR1	文件：383.37 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF21010LR1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：NI-360 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-360	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MRF21010LR1_06	文件：383.37 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale

更多MRF21010LR1供应商更新时间2024-4-30 10:30:00