MRF21010中文资料PDF规格书
厂商型号 |
MRF21010 |
参数属性 | MRF21010 封装/外壳为NI-360;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-360 |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
文件大小 |
542.12 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Motorola, Inc |
企业简称 |
Motorola |
中文名称 | 摩托罗拉官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-28 22:30:00 |
MRF21010规格书详情
The RF MOSFET Line
RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications.
• Typical W-CDMA Performance: -45 dBc ACPR, 2140 MHz, 28 Volts,
5 MHz Offset/4.096 MHz BW, 15 DTCH
Output Power — 2.1 Watts
Power Gain — 13.5 dB
Efficiency — 21
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• Integrated ESD Protection
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
• Capable of Handling 10:1 VSWR @ 28 Vdc, 2170 MHz, 10 Watts CW Output Power
• Excellent Thermal Stability
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.
• Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40µ″ Nominal.
产品属性
- 产品编号:
MRF21010LR5
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
2.11GHz ~ 2.17GHz
- 增益:
13.5dB
- 功率 - 输出:
10W
- 封装/外壳:
NI-360
- 供应商器件封装:
NI-360
- 描述:
FET RF 65V 2.17GHZ NI-360
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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