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MRF21045LR3	文件：550.17 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular ra 文件：550.17 Kbytes 页数：12 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF21045LSR3	文件：550.17 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular ra 文件：550.17 Kbytes 页数：12 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF21045LSR3	文件：383.73 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat 文件：383.73 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF21060	文件：380.01 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors 2110- 2170 MHz, 60 W, 28 V LATERAL N- CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2100 to 2200 MHz. Suitable for W- CDMA, CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier applications. • Typical 2- Carrier W- CDMA Performance: VDD= 28 文件：380.01 Kbytes 页数：8 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF21060	文件：550.96 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors 2170 MHz, 60 W, 28 V LATERAL N–CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2.1 to 2.2 GHz. Suitable for W–CDMA,CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier applications. • Typical W–CDMA Performance: 2140 MHz, 28 Volts 5 MHz Offs 文件：550.96 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF21060LR3	文件：380.01 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors 2110- 2170 MHz, 60 W, 28 V LATERAL N- CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2100 to 2200 MHz. Suitable for W- CDMA, CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier applications. • Typical 2- Carrier W- CDMA Performance: VDD= 28 文件：380.01 Kbytes 页数：8 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF21060LSR3	文件：380.01 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors 2110- 2170 MHz, 60 W, 28 V LATERAL N- CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2100 to 2200 MHz. Suitable for W- CDMA, CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier applications. • Typical 2- Carrier W- CDMA Performance: VDD= 28 文件：380.01 Kbytes 页数：8 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF21060R3	文件：550.96 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors 2170 MHz, 60 W, 28 V LATERAL N–CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2.1 to 2.2 GHz. Suitable for W–CDMA,CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier applications. • Typical W–CDMA Performance: 2140 MHz, 28 Volts 5 MHz Offs 文件：550.96 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF21060SR3	文件：550.96 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors 2170 MHz, 60 W, 28 V LATERAL N–CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2.1 to 2.2 GHz. Suitable for W–CDMA,CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier applications. • Typical W–CDMA Performance: 2140 MHz, 28 Volts 5 MHz Offs 文件：550.96 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF21085	文件：562.19 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radi 文件：562.19 Kbytes 页数：12 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

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晶体管资料

型号：
MRF207
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
0.4A
最大工作频率：
220MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFR36,BLW11,3DA21A,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
36
htest：
220000000
atest：
0.4
wtest：
1

技术参数

线束品：
无
PIN数：
13
插拔次数：
1000
开口方向：
笔直
适用电线外径(Max.)：
7.0 ｍｍ
(Max.)使用温度范围：
85 ℃
(Min.)使用温度范围：
-25 ℃
RoHS2：
匹配
SVHC：
含有

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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