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MRF21060LSR3	文件：380.01 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors 2110- 2170 MHz, 60 W, 28 V LATERAL N- CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2100 to 2200 MHz. Suitable for W- CDMA, CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier applications. • Typical 2- Carrier W- CDMA Performance: VDD= 28 文件：380.01 Kbytes 页数：8 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF21060SR3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-272	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	freescale
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更多MRF21060LSR3供应商更新时间2025-12-9 9:30:00