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MRF282SR1	文件：299.22 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors Designed for Class A and Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. • Specified Two-Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts Output Power ó 10 Watts PEP Power Gain ó 10.5 dB 文件：299.22 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF282Z	文件：142.3 Kbytes Page：11 Pages	LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs The RF Sub–Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for class A and class AB PCN and PCS base station applications at frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. 文件：142.3 Kbytes 页数：11 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF282ZR1	文件：299.22 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors Designed for Class A and Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. • Specified Two-Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts Output Power ó 10 Watts PEP Power Gain ó 10.5 dB 文件：299.22 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF284	文件：376.13 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1000 to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. To be used in Class A and Class AB for PCN-PCS/cellular ra 文件：376.13 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF284	文件：134.49 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field-Effect Transistors The RF Sub–Micron MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1000 to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. To be used in class A and cla 文件：134.49 Kbytes 页数：12 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF284	文件：109.17 Kbytes Page：2 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1000 to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. To be used in class A and cla 文件：109.17 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MRF284LR1	文件：376.13 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1000 to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. To be used in Class A and Class AB for PCN-PCS/cellular ra 文件：376.13 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF284LSR1	文件：376.13 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1000 to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. To be used in Class A and Class AB for PCN-PCS/cellular ra 文件：376.13 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF284S	文件：134.49 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field-Effect Transistors The RF Sub–Micron MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1000 to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. To be used in class A and cla 文件：134.49 Kbytes 页数：12 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MRF284S	文件：109.17 Kbytes Page：2 Pages	RF Power Field Effect Transistors The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1000 to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. To be used in class A and cla 文件：109.17 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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晶体管资料

型号：
MRF207
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
0.4A
最大工作频率：
220MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFR36,BLW11,3DA21A,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
36
htest：
220000000
atest：
0.4
wtest：
1

技术参数

线束品：
无
PIN数：
13
插拔次数：
1000
开口方向：
笔直
适用电线外径(Max.)：
7.0 ｍｍ
(Max.)使用温度范围：
85 ℃
(Min.)使用温度范围：
-25 ℃
RoHS2：
匹配
SVHC：
含有

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	MRF24J40MA-I/RM	MICROCHIP		12MODULE	3200	原装长期供货!	询价
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深圳市一线半导体有限公司	MRF27SG		24+		400	本站现库存	询价
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深圳市利加科技有限公司	MRF237	MSC	16+	NA	8800	原装现货,货真价优	询价
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