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MRF21045LR3_08

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

文件:479.17 Kbytes 页数:11 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21045LSR3

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21085LSR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件:197.85 Kbytes 页数:11 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21085LSR3_08

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21120

The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Trasistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件:401.47 Kbytes 页数:8 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF21125

RF Power Field Effect Transistors

文件:427.99 Kbytes 页数:12 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21125

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

文件:381.28 Kbytes 页数:12 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF21125R3

RF Power Field Effect Transistors

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FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21125S

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MOTOROLA

摩托罗拉

MRF21125SR3

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MOTOROLA

摩托罗拉

晶体管资料

  • 型号:

    MRF207

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    甚高频 (VHF)_TR

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    36V

  • 最大电流允许值:

    0.4A

  • 最大工作频率:

    220MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFR36,BLW11,3DA21A,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    36

  • htest:

    220000000

  • atest:

    0.4

  • wtest:

    1

技术参数

  • 线束品:

  • PIN数:

    13

  • 插拔次数:

    1000

  • 开口方向:

    笔直

  • 适用电线外径(Max.):

    7.0 mm

  • (Max.)使用温度范围:

    85 ℃

  • (Min.)使用温度范围:

    -25 ℃

  • RoHS2:

    匹配

  • SVHC:

    含有

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更多MRF2供应商 更新时间2026-1-31 10:20:00