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MRF21090R3_06	文件：391.9 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •TypicalW-CDMAPerformancefor2140MHz,28Volts4.096MHzBW	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale

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MRF21090R3_06

文件：391.9 Kbytes

Page：8 Pages

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. •TypicalW-CDMAPerformancefor2140MHz,28Volts4.096MHzBW

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

freescale

详细参数

型号：
MRF21090R3_06
制造商：
FREESCALE
制造商全称：
Freescale Semiconductor, Inc
功能描述：
RF Power Field Effect Transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MRF21090R3_06供应商更新时间2024-4-23 14:51:00

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