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MLD2N06CL	文件：79.84 Kbytes Page：7 Pages	SMARTDISCRETESTMMOSFET2Amp,62Volts,LogicLevelN?묬hannelDPAK TheMLD2N06CLisdesignedforapplicationsthatrequirearuggedpowerswitchingdevicewithshortcircuitprotectionthatcanbedirectlyinterfacedtoamicrocontrolunit(MCU).Idealapplicationsincludeautomotivefuelinjectordriver,incandescentlampdriverorotherapplicationswhereahig	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MLD2N06CL	文件：194 Kbytes Page：6 Pages	VOLTAGECLAMPEDCURRENTLIMITINGMOSFET VOLTAGECLAMPEDCURRENTLIMITINGMOSFET62VOLTS(CLAMPED)RDS(on)=0.4OHMS TheMLD2N06CLisdesignedforapplicationsthatrequirearuggedpowerswitchingdevicewithshortcircuitprotectionthatcanbedirectlyinterfacedtoamicrocontrolunit(MCU).Idealapplicationsincludeautomotivef	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MLD2N06CLG	文件：79.84 Kbytes Page：7 Pages	SMARTDISCRETESTMMOSFET2Amp,62Volts,LogicLevelN?묬hannelDPAK TheMLD2N06CLisdesignedforapplicationsthatrequirearuggedpowerswitchingdevicewithshortcircuitprotectionthatcanbedirectlyinterfacedtoamicrocontrolunit(MCU).Idealapplicationsincludeautomotivefuelinjectordriver,incandescentlampdriverorotherapplicationswhereahig	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MLP2N06CL	文件：192.37 Kbytes Page：6 Pages	VOLTAGECLAMPEDCURRENTLIMITINGMOSFET	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MLP2N06CL	文件：80.5 Kbytes Page：7 Pages	SMARTDISCRETESTMMOSFET2Amps,62Volts,LogicLevelN?묬hannelTO??20	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MLP2N06CLG	文件：80.5 Kbytes Page：7 Pages	SMARTDISCRETESTMMOSFET2Amps,62Volts,LogicLevelN?묬hannelTO??20	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMDF2N06V	文件：113.7 Kbytes Page：4 Pages	DUALTMOSMOSFET3.3AMPERES60VOLTS TMOSVSO-8forSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.Justasw	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMDF2N06VL	文件：114.96 Kbytes Page：4 Pages	DUALTMOSMOSFET2.5AMPERES60VOLTS TMOSV™SO-8forSurfaceMountN-ChannelEnhancement-modeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.Just	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTDF2N06HD	文件：250.93 Kbytes Page：9 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
RFL2N06	文件：44.98 Kbytes Page：5 Pages	2A,50Vand60V,0.95Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	Intersil Intersil Corporation	Intersil

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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