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MMD60R580PRH	文件：353.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.58Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：353.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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MMD60R580PRH	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
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