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|---|---|---|---|---|
MMDF1N05ER2G | Power MOSFET 2 A, 50 V, N-Channel SO-8, Dual TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on) andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofwithstanding highenergyintheavalancheandcommutationmodesandthe drain−to−sourcediodehasalowreverserecoverytime.Thesedevices aredesignedforuseinlowvoltage | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
MMDF1N05ER2G | Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N-Channel SO-8, Dual | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
MMDF1N05ER2G | Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | |
PowerMOSFET1Amp,50VoltsN-ChannelSO-8,Dual | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
PowerMOSFET2A,50V,N-ChannelSO-8,Dual TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on) andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofwithstanding highenergyintheavalancheandcommutationmodesandthe drain−to−sourcediodehasalowreverserecoverytime.Thesedevices aredesignedforuseinlowvoltage | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
详细参数
- 型号：
MMDF1N05ER2G
- 功能描述：
MOSFET NFET SO8D 50V 200mA 300mOhm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SO-8 |
504766 |
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询价 | ||
ON |
2020+ |
SOP8 |
19 |
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ONSemiconductor |
24+ |
NA |
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ON |
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SOP-8 |
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SOP8 |
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SOP8 |
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询价 | ||
ON |
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SO-8 |
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O |
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SOIC8 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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ON |
20+ |
SOP8 |
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诚信交易大量库存现货 |
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ON/安森美 |
2447 |
SOIC-8 |
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