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MMDT3904-TP	文件：113.23 Kbytes Page：2 Pages	200mW Plastic-Encapsulate Transistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Collector-Current:IC=0.2A •Epitaxialplanardieconstruction •Idealforlowpoweramplificationandswitching •Marking:K6N •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •Moisur	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
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MMDT3904V	文件：350.19 Kbytes Page：2 Pages	0.2A,60VDualPPlastic-EncapsulatedTransistors	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMDT3904V	文件：1.48188 Mbytes Page：4 Pages	NPNDualSmallSignalSurfaceMountTransistor Features Epitaxialplanardieconstruction Idealforlowpoweramplificationandswitching Ultra-smallsurfacemountpackage	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
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MMDT3904VC	文件：450.61 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNT	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
MMDT3904-TP
功能描述：
两极晶体管 - BJT 200mA 40V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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