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MMDT4126-7-F	文件：170.93 Kbytes Page：4 Pages	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (MMDT4124) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Compliant (Note 3) • Green Device (Note 4 and 5) 文件：170.93 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMDT4126-7-F	文件：231.42 Kbytes Page：6 Pages	25V DUAL PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR 文件：231.42 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMDT4126-7-F	文件：77.88 Kbytes Page：4 Pages	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：77.88 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMST4126-7-F	文件：360.99 Kbytes Page：6 Pages	25V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR 文件：360.99 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMST4126-7-F	文件：124.83 Kbytes Page：3 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (MMST4124) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) • Green Device (Notes 3 and 4) 文件：124.83 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMST4126-7-F	文件：82.58 Kbytes Page：4 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：82.58 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
MMDT4126-7
功能描述：
两极晶体管 - BJT -25V 200mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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