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MVDF1N05ER2G	文件：211.3 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 2 A, 50 V, N-Channel SO-8, Dual TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on) andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofwithstanding highenergyintheavalancheandcommutationmodesandthe drain−to−sourcediodehasalowreverserecoverytime.Thesedevices aredesignedforuseinlowvoltage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMDF1N05ER2	文件：76.17 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET1Amp,50VoltsN-ChannelSO-8,Dual	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMDF1N05ER2G	文件：211.3 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET2A,50V,N-ChannelSO-8,Dual TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on) andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofwithstanding highenergyintheavalancheandcommutationmodesandthe drain−to−sourcediodehasalowreverserecoverytime.Thesedevices aredesignedforuseinlowvoltage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMDF1N05ER2G	文件：1.08928 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MMDF1N05ER2G	文件：76.17 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET1Amp,50VoltsN-ChannelSO-8,Dual	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MVDF1N05ER2G
功能描述：
MOSFET N-CH 50V 2A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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