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MVDF1N05ER2G	文件：211.3 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 2 A, 50 V, N-Channel SO-8, Dual These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a low reverse recovery time. These devices are designed for use in low voltage 文件：211.3 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMDF1N05ER2	文件：76.17 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N-Channel SO-8, Dual 文件：76.17 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMDF1N05ER2G	文件：211.3 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 2 A, 50 V, N-Channel SO-8, Dual These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a low reverse recovery time. These devices are designed for use in low voltage 文件：211.3 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMDF1N05ER2G	文件：1.08928 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08928 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
MVDF1N05ER2G
功能描述：
MOSFET N-CH 50V 2A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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深圳市河锋鑫科技有限公司	MVDF1N05ER2G	ON Semiconductor	22+	8SOIC	9000	原厂渠道,现货配单	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MVDF1N05ER2G	ON/安森美	23+	SOP-8	16900	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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更多MVDF1N05ER2G供应商更新时间2025-10-5 10:30:00

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