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MMD65R600QRH	文件：353.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：353.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMD65R600QRH	文件：1.41906 Mbytes Page：10 Pages	丝印：65R600Q；Package：TO-252；650V 0.60ohm N-channel MOSFET 文件：1.41906 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMD65R600QRH	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MMF65R600Q	文件：1.4807 Mbytes Page：10 Pages	650V 0.60ohm N-channel MOSFET 文件：1.4807 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF65R600QTH	文件：1.4807 Mbytes Page：10 Pages	650V 0.60ohm N-channel MOSFET 文件：1.4807 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF65R600QTH	文件：322.91 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：322.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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