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MMD70R600P	文件：271.36 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：271.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMD70R600P	文件：1.1747 Mbytes Page：10 Pages	丝印：70R600P；Package：TO-252；700V 0.6(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.1747 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMD70R600PRH	文件：352.96 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 700V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：352.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMD70R600PRH	文件：1.1747 Mbytes Page：10 Pages	700V 0.6(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.1747 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMD70R600P	文件：300 bytes Page：1 Pages	700V 0.6(ohm) N-channel MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MMD70R600PRH	文件：300 bytes Page：1 Pages	700V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip

更多MMD70R600P供应商更新时间2026-1-30 10:54:00