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丝印:70R600P;Package:TO-252;700V 0.6(ohm) N-channel MOSFET 文件:1.1747 Mbytes 页数:10 Pages | MGCHIP | MGCHIP | ||
丝印:70R600P7;Package:ThinPAK5x6SMD;MOSFET 700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charg 文件:1.79349 Mbytes 页数:13 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
70R600P | 700V 0.6(ohm) N-channel MOSFET 文件:1.1747 Mbytes 页数:10 Pages | MGCHIP | MGCHIP |
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更新时间2025-9-18 16:50:00
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