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IPD70R360P7S	文件：942.51 Kbytes Page：13 Pages	丝印：70S360P7；Package：PG-TO252-3；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)QgandRDS(on)Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsath 文件：942.51 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPA70R360P7S	文件：923.7 Kbytes Page：13 Pages	丝印：70S360P7；Package：PG-TO220FullPAK；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：923.7 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPAN70R360P7S	文件：941.2 Kbytes Page：13 Pages	丝印：70S360P7；Package：PG-TO220FullPAK；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：941.2 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPS70R360P7S	文件：932.53 Kbytes Page：13 Pages	丝印：70S360P7；Package：PG-TO251-3；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：932.53 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPSA70R360P7S	文件：876.28 Kbytes Page：13 Pages	丝印：70S360P7；Package：PG-TO251；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：876.28 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
70S360P7	文件：942.51 Kbytes Page：13 Pages	700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)QgandRDS(on)Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsath 文件：942.51 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多70S360P7供应商更新时间2025-8-13 16:30:00

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