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IPSA70R360P7S	文件：300 bytes Page：1 Pages	英飞凌对反激式拓扑的解答 700V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET 系列专为满足当今以及特别是未来的反激式拓扑趋势而开发，与当今使用的超结技术相比，它提供了根本性的性能提升，可满足低功耗 SMPS 市场的需求，例如手机充电器或笔记本适配器。通过将客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS ™ P7 在以下方面能够最佳地适应目标应用：效率和热量易于使用 EMI 行为 • 极低的 FOM R DS(on) x E oss；更低的 Q g、E on 和 E off\n• 低开关损耗 (E oss)\n• 优异的热性能\n• 集成保护齐纳二极管\n• 精细分级的产品组合;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPSA70R360P7S	文件：876.28 Kbytes Page：13 Pages	丝印：70S360P7；Package：PG-TO251；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：876.28 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPA70R360P7S	文件：923.7 Kbytes Page：13 Pages	700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：923.7 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPAN70R360P7S	文件：941.2 Kbytes Page：13 Pages	700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：941.2 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD70R360P7S	文件：942.51 Kbytes Page：13 Pages	700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)QgandRDS(on)Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsath 文件：942.51 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Coss：
11 pF
ID (@25°C) max：
12.5 A
ID max：
12.5 A
IDpulsmax：
34 A
Ptotmax：
59.5 W
Qgd：
6 nC
QG：
16.4 nC
QG(typ @10V)：
16.4 nC
RDS (on)max：
360 mΩ
RDS (on)(@10V) max：
360 mΩ
RthJAmax：
62 K/W
RthJCmax：
2.1 K/W
Rth：
2.1 K/W
VDSmax：
700 V
VGS(th)：
3 V
Mounting：
THT
Package：
IPAK
Operating Temperature：
-40 °C to 150 °C
Pin Count：
3 Pins
Polarity：
N
Special Features：
price/performance
Budgetary Price €/1k：
0.35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPSA70R360P7S供应商更新时间2026-1-30 15:01:00

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