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IPD70R900P7S	文件：957.6 Kbytes Page：13 Pages	丝印：70S900P7；Package：PG-TO252-3；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)QgandRDS(on)Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsath 文件：957.6 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPA70R900P7S	文件：936.19 Kbytes Page：13 Pages	丝印：70S900P7；Package：PG-TO220FullPAK；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：936.19 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPS70R900P7S	文件：946.69 Kbytes Page：13 Pages	丝印：70S900P7；Package：PG-TO251-3；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：946.69 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPSA70R900P7S	文件：890.39 Kbytes Page：13 Pages	丝印：70S900P7；Package：PG-TO251；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：890.39 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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