英飞凌对反激式拓扑的解答

700V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET 系列专为满足当今以及特别是未来的反激式拓扑趋势而开发，与当今使用的超结技术相比，它提供了根本性的性能提升，可满足低功耗 SMPS 市场的需求，例如手机充电器或笔记本适配器。通过将客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS ™ P7 在以下方面能够最佳地适应目标应用： 效率和热量 易于使用 EMI 行为 • 极低的 FOM R DS(on)  x E oss；更低的 Q g、E on 和 E off\n• 高性能技术\n• 低开关损耗 (E oss)\n• 高效率\n• 优异的热性能\n• 允许高速开关\n• 集成保护齐纳二极管\n• 优化的 V (GS)th 为 3V，公差极窄为 ±0.5V\n• 精细分级的产品组合;

Infineon

英飞凌

丝印：70S900P7；Package：PG-TO220FullPAK；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

文件：954.05 Kbytes 页数：13 Pages

INFINEON

英飞凌

700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsath

文件：957.6 Kbytes 页数：13 Pages

INFINEON

英飞凌

700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

MOSFET 700V CoolMOSª P7 Power Transistor CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive app

文件：1.82573 Mbytes 页数：13 Pages

INFINEON

英飞凌

700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

文件：1.02931 Mbytes 页数：13 Pages

INFINEON

英飞凌