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IPD70R1K4P7S

Marking:70S1K4P7;Package:PG-TO252-3;700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsath

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

IPS70R1K4P7S

Marking:70S1K4P7;Package:PG-TO251-3;700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

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IPSA70R1K4P7S

Marking:70S1K4P7;Package:PG-TO251;700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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