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IPD70R1K4P7S	文件：943.49 Kbytes Page：13 Pages	丝印：70S1K4P7；Package：PG-TO252-3；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)QgandRDS(on)Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsath 文件：943.49 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPS70R1K4P7S	文件：933.5 Kbytes Page：13 Pages	丝印：70S1K4P7；Package：PG-TO251-3；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：933.5 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPSA70R1K4P7S	文件：877.25 Kbytes Page：13 Pages	丝印：70S1K4P7；Package：PG-TO251；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor 文件：877.25 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
70S1K4P7	文件：943.49 Kbytes Page：13 Pages	700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)QgandRDS(on)Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsath 文件：943.49 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

更多70S1K4P7供应商更新时间2025-8-13 10:05:00