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MMD70R900PRH	文件：352.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 700V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：352.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMD70R900PRH	文件：1.21164 Mbytes Page：10 Pages	700V 0.9(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.21164 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMD70R900PRH	文件：300 bytes Page：1 Pages	700V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MMF70R900P	文件：1.09912 Mbytes Page：10 Pages	700V 0.9(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.09912 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF70R900PTH	文件：1.09912 Mbytes Page：10 Pages	700V 0.9(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.09912 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF70R900PTH	文件：322.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 700V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：322.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多MMD70R900PRH供应商更新时间2025-11-30 14:18:00