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MMF70R900P	文件：1.09912 Mbytes Page：10 Pages	700V 0.9(ohm) N-channel MOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF70R900PTH	文件：322.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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MMF70R900Q	文件：1.27119 Mbytes Page：10 Pages	700V0.9ΩN-channelMOSFET Description MMF70R900QispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythatcan realizeverylowon-resistanceandgatecharge.Itwillprovidemuchhighefficiencybyusing optimizedchargecouplingtechnology.TheseuserfriendlydevicesgiveanadvantageofLowEMIto	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF70R900QTH	文件：1.27119 Mbytes Page：10 Pages	700V0.9ΩN-channelMOSFET Description MMF70R900QispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythatcan realizeverylowon-resistanceandgatecharge.Itwillprovidemuchhighefficiencybyusing optimizedchargecouplingtechnology.TheseuserfriendlydevicesgiveanadvantageofLowEMIto	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMIS70R900P	文件：1.37172 Mbytes Page：10 Pages	700V0.9(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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MMIS70R900PTH	文件：1.37172 Mbytes Page：10 Pages	700V0.9(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
NCE70R900	文件：670.94 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE70R900D	文件：670.94 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

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