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MMF65R600Q

650V 0.60ohm N-channel MOSFET

文件:1.4807 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MMF65R600QTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 7.3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.6Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

文件:322.91 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MMF65R600QTH

丝印:65R600Q;Package:TO-220F;650V 0.60ohm N-channel MOSFET

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MGCHIP

MMF65R600QTH

650V N-Ch MOSFET

MagnaChip

美格纳

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更多MMF65R600Q供应商 更新时间2025-10-9 11:10:00