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MMD65R900QRH	文件：331.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =6.2mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：331.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMD65R900QRH	文件：2.75608 Mbytes Page：10 Pages	丝印：65R900Q；Package：TO-252；650V 0.90ohm N-channel MOSFET 文件：2.75608 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMD65R900QRH	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
NCE65R900	文件：668.66 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Super Junction Power MOSFET ll 文件：668.66 Kbytes 页数：10 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE65R900	文件：1.10603 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10603 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE65R900D	文件：668.66 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Super Junction Power MOSFET ll 文件：668.66 Kbytes 页数：10 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

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