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MMD80R1K2PRH	文件：353.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：353.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMD80R1K2PRH	文件：1.33039 Mbytes Page：10 Pages	800V 1.2(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.33039 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMD80R1K2PRH	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
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MMF80R1K2PBTH	文件：1.41589 Mbytes Page：10 Pages	800V 1.2ohm N-channel MOSFET 文件：1.41589 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP

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