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MMD60R900PRH	文件：353.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMD60R900PRH	文件：1.14025 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.9(ohm) N-channel MOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMD60R900QRH	文件：331 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMD60R900QRH	文件：1.27895 Mbytes Page：10 Pages	Lowpowerlossbyhighspeedswitchingandlowon-resistance	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMIS60R900P	文件：1.21191 Mbytes Page：11 Pages	600V0.9(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMIS60R900PTH	文件：376.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMIS60R900PTH	文件：1.21191 Mbytes Page：11 Pages	600V0.9(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
NCE60R900	文件：1.10704 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE60R900D	文件：1.10891 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE60R900D	文件：669.25 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFETll	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

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