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MMIS60R900P

600V 0.9(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.21191 Mbytes 页数:11 Pages

MGCHIP

MMIS60R900PTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

文件:376.55 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MMIS60R900PTH

600V 0.9(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

MMIS60R900PTH

600V N-Ch MOSFET

MagnaChip

美格纳

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MAGNACHIP/美格纳
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MAGNACHIP/美格纳
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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MAGNACHIP/美格纳
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MAGNACHIP/美格纳
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MAGNACHIP/美格纳
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MAGNACHIP/美格纳
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MAGNACHIP
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TO-251
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更多MMIS60R900P供应商 更新时间2025-12-15 14:02:00