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MMBT5401LT1	文件：189.34 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor HighVoltageTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
MMBT5401LT1	文件：164.83 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Transistor(PNP Silicon) HighVoltageTransistor PNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
MMBT5401LT1	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor(PNP Silicon) HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT5401LT1	文件：40.92 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TheMMBT5401LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage.BVCEO=150V(@IC=1mA) •ComplementstoNPNTypeMMBT5551LT1.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
MMBT5401LT1	文件：44.6 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEKAvic Technology Avic Technology
MMBT5401LT1	文件：154.92 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
MMBT5401LT1	文件：330.96 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor FEATURE ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司
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MMBT5401LT1G	文件：118.48 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor PNP Silicon HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT5401LT1G	文件：139.08 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMBT5401LT1_15	文件：154.92 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
MMBT5401LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
LMBT5401LT1	文件：109.25 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistor FEATURE ●Pb-Freepackageisavailable.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
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LMBT5401LT1G	文件：107.85 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistorRoHSrequirements.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LMBT5401LT1G	文件：445.01 Kbytes Page：5 Pages	WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements FEATURE ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteand ControlChangeRequirements;AEC-Q101QualifiedandPPAPCapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
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详细参数

型号：
MMBT5401LT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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