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MMBT5401LT1	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor(PNP Silicon) High Voltage Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：135.89 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5401LT1	文件：164.83 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Transistor(PNP Silicon) High Voltage Transistor PNP Silicon 文件：164.83 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT5401LT1	文件：189.34 Kbytes Page：6 Pages	丝印：2L；Package：SOT-23；High Voltage Transistor High Voltage Transistor PNP Silicon 文件：189.34 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT5401LT1	文件：44.6 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.3 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.6 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -160 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：44.6 Kbytes 页数：1 Pages	AVICTEK	AVICTEK
MMBT5401LT1	文件：40.92 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The MMBT5401LT1 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Features • High Collector-Emitter Breakdown Voltage. BVCEO=150V(@ IC=1mA) • Complements to NPN Type MMBT5551LT1. 文件：40.92 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
MMBT5401LT1	文件：154.92 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：154.92 Kbytes 页数：2 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
MMBT5401LT1	文件：330.96 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistor FEATURE ● Pb-Free package is available RoHS product for packing code suffix G Halogen free product for packing code suffix H 文件：330.96 Kbytes 页数：5 Pages	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT5401LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistors	Willas 威伦	Willas
MMBT5401LT1G	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor(PNP Silicon) High Voltage Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：135.89 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT5401LT1G	文件：121.01 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor High Voltage Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：121.01 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBT5401LT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 500mA 160V PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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