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MMBT3906LT3	文件：96.92 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor PNP Silicon General Purpose Transistor PNP Silicon Features •Pb-Free Packages are Available 文件：96.92 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MMBT3906LT3G	文件：140.01 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor PNP Silicon Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：140.01 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906LT3G	文件：128.61 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor PNP Silicon Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：128.61 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3906LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBT3906LT3
功能描述：
两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MMBT3906LT3	ON/安森美	25+	SOT-23	32360	ON/安森美全新特价MMBT3906LT3即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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深圳市俊晖半导体有限公司	MMBT3906LT3	ON(安森美)	25+	标准封装	8800	公司只做原装,详情请咨询	询价

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