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NCE2004NE	文件：351.81 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE2004NE	文件：513.47 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE2004Y	文件：283.14 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE2004Yusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=20V,ID=4A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCS2004	文件：942.34 Kbytes Page：13 Pages	WideSupplyRail-to-RailOutputOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS2004A	文件：942.34 Kbytes Page：13 Pages	WideSupplyRail-to-RailOutputOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS2004AMUTAG	文件：942.34 Kbytes Page：13 Pages	WideSupplyRail-to-RailOutputOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS2004MUTAG	文件：942.34 Kbytes Page：13 Pages	WideSupplyRail-to-RailOutputOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NMA-2004	文件：180.46 Kbytes Page：1 Pages	NMA2000NOISESOURCESERIES	MICRONETICS Micronetics, Inc.	MICRONETICS
NSNJ2004	文件：166.6 Kbytes Page：4 Pages	428MHzLowPowerTransceiver	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NTE2004	文件：24.9 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitDolbyNoiseReductionCircuit Description: TheNTE2004isamonolithicaudionoisereductioncircuitina16–LeadDIPtypepackagedesignedforuseinDolbyB–Typenoisereductionsystems.Thisdeviceisusedtoreducethelevelofbackgroundnoiseintroducedduringrecordingandplaybackofaudiosignalsonmagnetictape	NTE NTE Electronics	NTE

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