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MJD122	文件：1.15875 Mbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR（NPN） FEATURES ∙ High DC Current Gain ∙ Electrically Similar to Popular TIP122 ∙ Built-in a Damper Diode at E-C 文件：1.15875 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MJD122	文件：246.92 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION · Low Collector-Emitter saturation voltage · Lead formed for surface mount applications · High DC current gain · 100 avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Designed for general purpose amplifier and lo 文件：246.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD122	文件：296.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High DC current gain ·Lead formed for surface mount applications ·Built-in a damper diode at E-C ·Complementary Pairs Simplifies Designs APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. 文件：296.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD122	文件：277.2 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High DC current gain ·Lead formed for surface mount applications ·Built-in a damper diode at E-C ·Complementary Pairs Simplifies Designs APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. 文件：277.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJD122	文件：81.7 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T 文件：81.7 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MJD122	文件：211.88 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Hammer Drivers,Audio Amplifiers Applications Power Linear and Switching Applications 文件：211.88 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
MJD122	文件：205.51 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Hammer Drivers,Audio Amplifiers Applications Power Linear and Switching Applications 文件：205.51 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
MJD122	文件：457.2 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D-PAK；Package：TO-252；NPN Silicon Darlington Transistor FEATURES • High DC Current Gain • Electrically Similar to Popular TIP122 • Built-in a Damper Diode at E-C We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：457.2 Kbytes 页数：2 Pages	FS	FS
MJD122	文件：2.2067 Mbytes Page：3 Pages	TO-252-2L P lastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR（ NPN） Feature ● High DC Current Gain ● Electrically Similar to Popular TIP122 ● Built-in a Damper Diode at E-C 文件：2.2067 Mbytes 页数：3 Pages	HDSEMI 海德半导体	HDSEMI
MJD122-1	文件：91.56 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The MJD122 and MJD127 form complementary NPN - PNP pair. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS ■ INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE ■ THROUGH HOLE T 文件：91.56 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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晶体管资料

型号：
MJD112
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
G-217
vtest：
0
htest：
999900
atest：
2
wtest：
20

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
2
V(BR)CEO Min (V)：
100
VCE(sat) Max (V)：
2
hFE Min (k)：
1
hFE Max (k)：
12
fT Min (MHz)：
25
Package Type：
DPAK INSERTION MOUNT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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