| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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1年
留言
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NK/南科功率TO-252 |
3200 |
2025 |
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国产南科 |
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3年
留言
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ON(安森美)TO-252-2(DPAK) |
5904 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价 |
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10年
留言
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ON/安森美TO-252 |
30000 |
24+ |
只做原装进口假一赔十全部自己现货库存 |
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1年
留言
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NK/南科功率TO-252 |
2500 |
2025+ |
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国产南科平替供应大量 |
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STN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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17年
留言
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ONTO-251 |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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5年
留言
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原厂原包原装 |
38560 |
24+ |
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同 |
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13年
留言
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STTO-252 |
5698 |
23+ |
进口原装公司现货,假一罚十,价格优惠 |
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13年
留言
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ST/意法半导体TO-252 |
4650 |
25+ |
绝对原装公司现货 |
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16年
留言
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ONDPAK |
56000 |
23+ |
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4年
留言
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ONTO252 |
8540 |
2430+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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12年
留言
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STTO-252 |
15000 |
25+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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7年
留言
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ST/意法TO-252-3(DPAK) |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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1年
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ONSEMI/安森美TO-252 |
41 |
21+ |
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只做自己真实库存原盘原标清仓价格好省钱全新正品原厂现货 |
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7年
留言
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ST/意法TO252 |
3000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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10年
留言
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ON/安森美TO252 |
33500 |
25+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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6年
留言
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ONSMD |
918000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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12年
留言
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CJTO252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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7年
留言
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ST(意法)TO-252-2(DPAK) |
12421 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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11年
留言
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ON(安森美)TO-252-2(DPAK) |
10399 |
23+ |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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MJD112T4G
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MJD117T4G 现货供应 联系 刘明 (86)-755-83991289 QQ 3076955352
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更多MJD112功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MJD112_03制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJD112_06制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Darlington Transistor
MJD112_10制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power Darlington transistors
MJD112_11制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistors
MJD112-001功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MJD1121制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
MJD112-1G功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MJD112G功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MJD112RL功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel




































