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MJD112

互补硅功率达林顿晶体管

The devices are manufactured in planar technology with \\\"base island\\\" layout and monolithic Darlington configuration. • Good hFE linearity \n• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode \n• High fT frequency;

ST

意法半导体

MJD112

中等功率双极型晶体管

MCC

美微科

MJD112

达林顿管

JSCJ

长晶科技

MJD112-1G

Package:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

ONSEMI

安森美半导体

MJD112G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

MJD112RL

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    MJD112

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    G-217

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    20

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    NPN

  • IC Continuous (A):

    2

  • V(BR)CEO Min (V):

    100

  • VCE(sat) Max (V):

    2

  • hFE Min (k):

    1

  • hFE Max (k):

    12

  • fT Min (MHz):

    25

  • Package Type:

    DPAK INSERTION MOUNT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-251-3L
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更多MJD1供应商 更新时间2026-4-17 16:08:00