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MJD13003

High Voltage Switching Diode

文件:271.04 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD13003

NPN SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR

文件:591.7 Kbytes 页数:5 Pages

CDIL

MJD13003_15

NPN Transistors

文件:797.16 Kbytes 页数:2 Pages

KEXIN

科信电子

MJD148

NPN Silicon Power Transistor

文件:91.63 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD148

NPN Silicon Power Transistor

文件:115.31 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD148_11

NPN Silicon Power Transistor

文件:115.31 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD148_16

NPN Silicon Power Transistor

文件:91.63 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD148T4

NPN Silicon Power Transistor

文件:115.31 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD148T4G

NPN Silicon Power Transistor

文件:115.31 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD148T4G

NPN Silicon Power Transistor

文件:91.63 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    MJD112

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    G-217

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    20

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    NPN

  • IC Continuous (A):

    2

  • V(BR)CEO Min (V):

    100

  • VCE(sat) Max (V):

    2

  • hFE Min (k):

    1

  • hFE Max (k):

    12

  • fT Min (MHz):

    25

  • Package Type:

    DPAK INSERTION MOUNT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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25+
TO-251-3L
20300
CJ/长电原装特价MJD112即刻询购立享优惠#长期有货
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4206
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更多MJD1供应商 更新时间2026-4-17 18:03:00