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IXKR40N60C	文件：46.82 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS247 Package CoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS247™Package N-ChannelEnhancementMode LowRDSon,HighVDSSMOSFET PackagewithElectricallyIsolatedBase Features ●ISOPLUS247packagewithDCBBase -Electricalisolationtowardstheheatsink -Lowcouplingcapacitancetotheheatsinkfor	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH40N60	文件：55.52 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH40N60	文件：91.96 Kbytes Page：6 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH40N60A	文件：323.71 Kbytes Page：2 Pages	IGBT FEATURES ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.0VMax.@IC=40A ·Highcurrenthandlingcapability ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·ACmotorspeedcontrol ·Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ·Welding	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXSH40N60A	文件：91.96 Kbytes Page：6 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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KGF40N60KDA	文件：1.42453 Mbytes Page：8 Pages	KECFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergyefficiencyandshortcircuitruggedness.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

详细参数

型号：
IXKR40N60C
功能描述：
MOSFET 40 Amps 600V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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