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IXLF19N250A

NPT 超高电压 IGBT

• 高阻断电压\n• 高峰值电流能力\n• 高功率密度\n• 低饱和电压\n• 国际标准和专有ISOPLUSTM封装;

Littelfuse

力特

IXLF19N250A

High Voltage IGBT

Features ● High Voltage IGBT - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop and comparable switching speed - substitute for high voltage thyristors with voltage control of turn on and turn off - substitute for electromechanical trigger and discharge relays

文件:68.32 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXLF19N250A

Package:i4-Pac™-5(3 引线);包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 2500V 32A 250W I4PAC

IXYS

艾赛斯

IXLF19N250A

ISOPLUS i4-PAC

IXTA3N120

TO-263

IXYS/艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXLF19N250A

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.9V @ 15V,19A

  • 开关能量:

    15mJ(开),30mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    1500V,19A,47 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    i4-Pac™-5(3 引线)

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS i4-PAC™

  • 描述:

    IGBT 2500V 32A 250W I4PAC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXLF19N250A供应商 更新时间2025-12-24 9:05:00