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IXLF19N250A数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IXLF19N250A规格书详情
特性 Features
• 高阻断电压
• 高峰值电流能力
• 高功率密度
• 低饱和电压
• 国际标准和专有ISOPLUSTM封装
应用 Application
• 脉冲电路
• 电容放电电路
• 高压电源
• 高压测试设备
• 激光和X射线发生器
技术参数
- 制造商编号
:IXLF19N250A
- 生产厂家
:Littelfuse
- Collector Current @ 25 ℃ (A)
:32
- VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
:3.9
- Fall Time [Inductive Load] (ns)
:250
- Configuration
:Single
- Package Type
:i4-Pac (3HV)
- Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)
:0.5
- Collector Current @ 90 ℃ (A)
:19
- Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)
:30
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
3270 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS艾赛斯 |
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