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IXKP13N60C5M规格书详情
描述 Description
Fully isolated package
N-Channel Enhancement Mode
Low RDSon, High VDSS MOSFET
Ultra low gate charge
特性 Features
• fast CoolMOS ™1) power MOSFET 4th generation
- High blocking capability
- Lowest resistance
- Avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)
- Low thermal resistance due to reduced chip thickness
• Enhanced total power density
技术参数
- 型号：
IXKP13N60C5M
- 功能描述：
MOSFET 13 Amps 600V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TECCOR/LITT |
23+ |
TO-252 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO220fullplastic |
8866 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-220 |
60000 |
询价 | |||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-220F |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2203 Isolated Tab |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
SOT-5452&NBS |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
I |
23+ |
TO-220F |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
