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IXKH30N60C5数据手册Littelfuse中文资料规格书
IXKH30N60C5规格书详情
特性 Features
• 硅片固定在直接敷铜基板上
• 第4代快速CoolMOS™
功率MOSFET
•增强的总功率密度
•低热阻
应用 Application
• 开关模式电源设备
• 不间断电源
• 功率因数校正（PFC）
• 焊接
• 感应加热
• PDP和LCD适配器
技术参数
- 型号：
IXKH30N60C5
- 功能描述：
MOSFET 30 Amps 600V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
TO3P3 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEO |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
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询价 | |||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
5000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
8866 |
询价 | |||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
