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IXKC15N60C5数据手册Littelfuse中文资料规格书
IXKC15N60C5规格书详情
特性 Features
• 硅片固定在直接敷铜基板上
• 第4代快速CoolMOS™
功率MOSFET
•增强的总功率密度
•低热阻
应用 Application
• 开关模式电源设备
• 不间断电源
• 功率因数校正(PFC)
• 焊接
• 感应加热
• PDP和LCD适配器
技术参数
- 型号:
IXKC15N60C5
- 功能描述:
MOSFET 15 Amps 600V 0.165 Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
ISOPLUS220? |
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IXYS |
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IXYS |
22+ |
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