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IXKC15N60C5

Electrically isolated back surface Electrically isolated back surface

Electricallyisolatedbacksurface 2500Velectricalisolation N-ChannelEnhancementMode LowRDSon,highVDSSMOSFET Ultralowgatecharge Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -highpowerdissipation -isolatedmountingsurface -2500Velectrical

IXYS

IXYS Corporation

IXKC15N60C5

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXKC15N60C5

N通道超级结MOSFET; • 硅片固定在直接敷铜基板上\n• 第4代快速CoolMOS™\n功率MOSFET\n•增强的总功率密度\n•低热阻\n;

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IXYS/艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXKC15N60C5

  • 功能描述:

    MOSFET 15 Amps 600V 0.165 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXKC15N60C5供应商 更新时间2025-7-31 10:23:00