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IXGY2N120数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IXGY2N120

参数属性

IXGY2N120 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 5A 25W TO252AA

功能描述

PT IGBTs

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-8 14:33:00

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IXGY2N120规格书详情

特性 Features

·VCES: 300V to 1200V
·IC(90): 2A to 200A
·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2
and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz
C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)
C3-300 V IGBT, High Speed PT for 50kHz-150kHz switching·Available with or without ultrafast diode in parallel

技术参数

  • 制造商编号

    :IXGY2N120

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • Package Style

    :TO-252AA (D PAK)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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