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IXKH35N60C5数据手册Littelfuse中文资料规格书
IXKH35N60C5规格书详情
特性 Features
• 硅片固定在直接敷铜基板上
• 第4代快速CoolMOS™
功率MOSFET
•增强的总功率密度
•低热阻
应用 Application
• 开关模式电源设备
• 不间断电源
• 功率因数校正（PFC）
• 焊接
• 感应加热
• PDP和LCD适配器
技术参数
- 型号：
IXKH35N60C5
- 功能描述：
MOSFET 35 Amps 600V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
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IXYS |
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