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IXTA05N100	文件：541.14 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Features ● International standard packages ● High voltage, Low RDS (on) HDMOS™ process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● Fast switching times Applications ● Switch-mode and resonant-mode power supplies ● Flyback inverters ● DC ch 文件：541.14 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA05N100	文件：298.81 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：298.81 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTA05N100	文件：190.92 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：190.92 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA05N100	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道标准MOSFET • 国际标准包装\n• 快速切换时间\n• 雪崩评级\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 超低的RDS(on);	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTA05N100HV	文件：190.92 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：190.92 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA05N100P	文件：164.01 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode 文件：164.01 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA05N100P	文件：283.46 Kbytes Page：7 Pages	Fast Intrinsic Diode 文件：283.46 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA05N100P_V01	文件：283.46 Kbytes Page：7 Pages	Fast Intrinsic Diode 文件：283.46 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA05N100HV	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道标准MOSFET • 国际标准包装\n• 雪崩评级\n• 超低的RDS(on);	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTA05N100P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道标准 Polar™ MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
17
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
0.75
Gate Charge (nC)：
7.8
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
3.1
Configuration：
Single
Package Type：
TO-263
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
710
Power Dissipation (W)：
40
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

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更多IXTA05N100供应商更新时间2025-10-13 10:12:00

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